Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты Новости
Запросить предложение
  • Контакты

  • г. Нижний Новгород,

    ул. Невская, д. 19А, оф. 109

  • +7 (831) 212-83-33

  • Пн - Пт: с 09:00 до 17:30 (Мск)

  •                            

    info@ntp-int.ru

                           
Запросить предложение
Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты Новости

Показано 369–384 из 400 результатов


Каталог


Фото

Маркировка / Производитель

UF4007, высокоэффективный выпрямительный диод, 1000В, 1А (DO-204AL (DO-41))

UF4007, высокоэффективный выпрямительный диод, 1000В, 1А (DO-204AL (DO-41))

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 1000

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 1

Способ монтажа: в отверстие

Корпус: DO-41

Запросить предложение
UMD12N, биполярный NPN+PNP цифровой транзистор (встраиваемый резистор), 50В, 100мА, 150мВт (SOT-363)

UMD12N, биполярный NPN+PNP цифровой транзистор (встраиваемый резистор), 50В, 100мА, 150мВт (SOT-363)

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: NPN+PNP

Корпус: SOT-363-6

Запросить предложение
UMD22N, биполярный NPN+PNP цифровой транзистор (встраиваемый резистор), 50В, 100мА, 150мВт (SOT-363)

UMD22N, биполярный NPN+PNP цифровой транзистор (встраиваемый резистор), 50В, 100мА, 150мВт (SOT-363)

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: NPN+PNP

Корпус: SOT-363-6

Запросить предложение
US1B, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 100В, 1А (DO-214AC (SMA))

US1B, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 100В, 1А (DO-214AC (SMA))

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Тип диода: высокоэффективный диод

Кол-во диодов: 1

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 100

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 1

Максимальное время обратного восстановления,мкс: 0.05

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 30

Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 2.5

Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 1

при Iпр.,А: 1

Общая емкость Сд,пФ: 25

Рабочая температура: -55...+125

Корпус: DO-214AC(SMA)

Способ монтажа: SMD

Запросить предложение
US1G, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 400В, 1А (DO-214AC (SMA))

US1G, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 400В, 1А (DO-214AC (SMA))

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Тип диода: высокоэффективный диод

Кол-во диодов: 1

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 400

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 1

Максимальное время обратного восстановления,мкс: 0.075

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 30

Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 2.5

Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 1.7

при Iпр.,А: 1

Общая емкость Сд,пФ: 25

Рабочая температура: -55...+125

Корпус: DO-214AC(SMA)

Способ монтажа: SMD

Запросить предложение
US1J, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 600В, 1А (DO-214AC (SMA))

US1J, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 600В, 1А (DO-214AC (SMA))

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Тип диода: высокоэффективный диод

Кол-во диодов: 1

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 600

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 1

Максимальное время обратного восстановления,мкс: 0.075

Максимальное импульсное обратное напряжение,В: 600

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 30

Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 2.5

Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 1.7

при Iпр.,А: 1

Общая емкость Сд,пФ: 25

Рабочая температура: -55...+125

Корпус: DO-214AC(SMA)

Способ монтажа: SMD

Запросить предложение
US1K, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 800В, 1А (DO-214AC (SMA))

US1K, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 800В, 1А (DO-214AC (SMA))

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Тип диода: быстровосстанавливающийся диод

Кол-во диодов: 1

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 800

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 1

Максимальное время обратного восстановления,мкс: 0.075

Максимальное импульсное обратное напряжение,В: 600

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 30

Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 10

Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 1.7

при Iпр.,А: 1

Общая емкость Сд,пФ: 10

Рабочая температура: -55...150

Корпус: DO-214AC(SMA)

Способ монтажа: SMD

Запросить предложение
US1M, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 1000В, 1А (DO-214AC (SMA))

US1M, SMT высокоэффективный выпрямительный диод, 1000В, 1А (DO-214AC (SMA))

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Тип диода: быстровосстанавливающийся диод

Кол-во диодов: 1

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 1000

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 1

Максимальное время обратного восстановления,мкс: 0.075

Максимальное импульсное обратное напряжение,В: 1000

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 30

Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 10

Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 1.7

при Iпр.,А: 1

Общая емкость Сд,пФ: 10

Рабочая температура: -50...150

Корпус: DO-214AC(SMA)

Способ монтажа: SMD

Запросить предложение
US2M, сверхбыстрый диод, 1000В, 2A [SMB]

US2M, сверхбыстрый диод, 1000В, 2A [SMB]

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 1000

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 2

Способ монтажа: SMD

Корпус: SMB

Запросить предложение
YJD106520NCTQG2, диод Шоттки из карбида кремния, 650B, 80A, 112/230Вт (TO-247AB) = YJD106520NCTG1

YJD106520NCTQG2, диод Шоттки из карбида кремния, 650B, 80A, 112/230Вт (TO-247AB) = YJD106520NCTG1

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Корпус: TO-247AB

Запросить предложение
YJD112020NCTQG2, диод Шоттки из карбида кремния, 1200B, 85A, 266/500Вт (TO-247AB) = WSRSIC040120NP8

YJD112020NCTQG2, диод Шоттки из карбида кремния, 1200B, 85A, 266/500Вт (TO-247AB) = WSRSIC040120NP8

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Корпус: TO-247AB

Запросить предложение
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: TO-252

Запросить предложение
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Запросить предложение
YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: TO-252

Запросить предложение
YJG110G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 110A, 113Вт (PDFN5060-8L)

YJG110G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 110A, 113Вт (PDFN5060-8L)

Производитель: Yangjie (YJ)
Запросить предложение
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: PDFN5060-8L

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я

A
ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX
B
Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago
C
CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS
D
Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City
E
EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology
F
Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech
G
G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice
H
Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann
I
Infineon
J
Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make
K
Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss
L
LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL
M
Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS
N
NationStar NCR NEX-NXP NXU
O
Omron On Semiconductor
P
Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati
R
REASUNOS RELPOL Rexant
S
Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic
T
TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI
U
UMW Uni-Ohm
V
VBSEMI Vishay
W
WCH Welwyn
X
XIANGYEE
Y
Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ
Z
Zeasset ZENITHSUN
А
Альфа
В
Вниисимс
Г
Гонконг
Д
Далекс Днепр
Е
Европа
З
Зубова Поляна
И
ИНТЕГРАЛ
К
КВАЗАР Кермет Китай Кремний
М
МЕЗОН Микро-М Микрон
Н
НЗПП
П
Протон
Р
Ресурс РЗМКП Россия
С
СЗТП СКЗ США
Т
Тайвань Транзистор
Ф
ФАП
Х
ХРЗ
Э
ЭЛЕКС Электроинтер
Я
Япония