Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты Новости
Запросить предложение
  • Контакты

  • г. Нижний Новгород,

    ул. Невская, д. 19А, оф. 109

  • +7 (831) 212-83-33

  • Пн - Пт: с 09:00 до 17:30 (Мск)

  •                            

    info@ntp-int.ru

                           
Запросить предложение
Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты Новости

Показано 385–400 из 400 результатов


Каталог


Фото

Маркировка / Производитель

YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]

YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: PDFN5060

Запросить предложение
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]

YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: PDFN5060

Запросить предложение
YJG90G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615

YJG90G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: PDFN 5x6

Запросить предложение
YJG90G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615

YJG90G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: PDFN 5x6

Запросить предложение
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060

YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: P-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: P-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: P-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U

YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.апр

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]

YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOT-223-3

Запросить предложение
YJQ40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 40A, 43Вт (DFN3333-8L)

YJQ40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 40A, 43Вт (DFN3333-8L)

Производитель: Yangjie (YJ)
Запросить предложение
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)

YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOP-8

Запросить предложение
YJS12G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 12A, 3.1Вт (SOP-8) = IRF7853TRPB

YJS12G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 12A, 3.1Вт (SOP-8) = IRF7853TRPB

Производитель: Yangjie (YJ)
Запросить предложение
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)

YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)

Производитель: Yangjie (YJ)
Все характеристики

Структура: P-канал

Корпус: SOP-8

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я

A
ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX
B
Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago
C
CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS
D
Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City
E
EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology
F
Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech
G
G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice
H
Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann
I
Infineon
J
Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make
K
Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss
L
LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL
M
Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS
N
NationStar NCR NEX-NXP NXU
O
Omron On Semiconductor
P
Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati
R
REASUNOS RELPOL Rexant
S
Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic
T
TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI
U
UMW Uni-Ohm
V
VBSEMI Vishay
W
WCH Welwyn
X
XIANGYEE
Y
Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ
Z
Zeasset ZENITHSUN
А
Альфа
В
Вниисимс
Г
Гонконг
Д
Далекс Днепр
Е
Европа
З
Зубова Поляна
И
ИНТЕГРАЛ
К
КВАЗАР Кермет Китай Кремний
М
МЕЗОН Микро-М Микрон
Н
НЗПП
П
Протон
Р
Ресурс РЗМКП Россия
С
СЗТП СКЗ США
Т
Тайвань Транзистор
Ф
ФАП
Х
ХРЗ
Э
ЭЛЕКС Электроинтер
Я
Япония