Корпус: SO8

Тип усилителя: операционный

Число ОУ в одном корпусе: 1

Архитектура: биполярные транзисторы на входе

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 40

Возможность работы от одного источника питания: есть

Минимальное напряжение питания, В: 2.7

Максимальное напряжение питания, В: 12

Ток питания в пересчете на усилитель, мА: 0.75

Входное напряжение смещения, мВ: 1

Входной ток смещения, мкА: 2

Температурный дрейф нуля, мкВ/оС: 5

Коэффициент усиления с разомкнутой ОС, дБ: 80

Входное сопротивление, МОм: 40

Коэффициент ослабления синфазной составляющей (КОСС), дБ: 90

Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс: 30

Выходной ток: 15 mA

Корпус: SOIC8

Минимальное напряжение питания, В: 5

Максимальное напряжение питания, В: 24

Входное напряжение смещения, мВ: 1

Входной ток смещения, мкА: 0.011

Коэффициент ослабления синфазной составляющей (КОСС), дБ: 100

Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс: 80

Выходной ток: 5 mA

Корпус: SOIC8

Корпус: SO8

Количество каналов: 1

Входное напряжение смещения, мВ: 0.1

Входной ток смещения, мкА: 0.025

Коэффициент подавления синфазного сигнала, dB: 80

Полоса пропускания, МГц: 1.9

Рабочее напряжение питания: 5...30

Ток питания, мА: 0.62

Корпус: SOIC-8

Температура: -40…+85