Показано 49–64 из 214 результатов

Каталог

Фото

Маркировка / Производитель

BC817-40, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 50В, 500мА, 300мВт (SOT-23)

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250

Hfe при токе коллектора, А: 0.1

Hfe при напряжении к-э, В: 1

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC846B, двунаправленный NPN транзистор, 80В, 100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 290

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC846C, двунаправленный NPN транзистор, 80В, 100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150

Запросить предложение

BC847A, двунаправленный NPN транзистор, 50В, 100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 180

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC847B, двунаправленный NPN транзистор, 50В, 100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC847C, двунаправленный NPN транзистор, 50В, 100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 250

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC856B, двунаправленный PNP транзистор, -80В, -100мА, 225мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 125

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC857A, двунаправленный PNP транзистор, -50B, -100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение

BC857B, двунаправленный PNP транзистор, -50В, -100мА, 200мВт [SOT-23] = BC857BLT1G

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 220

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BC857C, двунаправленный PNP транзистор, -50В, -100мА, 200мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420

Hfe при токе коллектора, А: 0.002

Hfe при напряжении к-э, В: 5

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25

Корпус: SOT-23-3

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BCP53-16, двунаправленный PNP транзистор. -100В, -1А, 1.5Вт [SOT-223] = PNP 80В 1А = BCP53-16 T1G

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100

Hfe при токе коллектора, А: 0.15

Hfe при напряжении к-э, В: 2

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 125

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2

Корпус: SOT-223

Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150

Запросить предложение

BCP56-16, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 100В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.5

Корпус: SOT-223

Запросить предложение

BCX53-16, двунаправленный PNP транзистор, -100В, -1А, 500мВт [SOT-89]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5

Корпус: SOT-89

Запросить предложение

BCX56-10, двунаправленный NPN транзистор, 100В, 1А, 500мВт [SOT-89]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5

Корпус: SOT-89

Запросить предложение

BCX56-16, двунаправленный NPN транзистор, 100В, 1А, 500мВт [SOT-89]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5

Корпус: SOT-89

Запросить предложение

BD681, NPN транзистор Дарлингтона, 100В, 4A [TO-126]

Производитель: HOTTECH

Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 4

Корпус: TO-126

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX

Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago

CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS

Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City

EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology

Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech

G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice

Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann

Infineon

Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make

Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss

LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL

Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS

NationStar NCR NEX-NXP NXU

Omron On Semiconductor

Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati

REASUNOS RELPOL Rexant

Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic

TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI

UMW Uni-Ohm

VBSEMI Vishay

WCH Welwyn

XIANGYEE

Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ

Zeasset ZENITHSUN

Альфа

Вниисимс

Гонконг

Далекс Днепр

Европа

Зубова Поляна

ИНТЕГРАЛ

КВАЗАР Кермет Китай Кремний

МЕЗОН Микро-М Микрон

НЗПП

Протон

Ресурс РЗМКП Россия

СЗТП СКЗ США

Тайвань Транзистор

ФАП

ХРЗ

ЭЛЕКС Электроинтер

Япония

интенсив

электронные компоненты

Каталог