Запросить предложение
Запросить предложение

Показано 81–96 из 276 результатов


Каталог


Фото

Маркировка / Производитель

IRF5305PBF, транзистор Р канал -55В -31А TO220AB

IRF5305PBF, транзистор Р канал -55В -31А TO220AB

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 55

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 60

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 110

Крутизна характеристики S,мА/В: 8

Температура, С: -55...+175

Корпус: TO220AB

Запросить предложение
IRF5305STRLPBF, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak

IRF5305STRLPBF, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 55

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -31

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 60

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 110

Крутизна характеристики S,мА/В: 8

Температура, С: -55...+175

Корпус: D2Pak-2

Запросить предложение
IRF530NSTRLPBF, транзистор N канал 100В 17А D2Pak

IRF530NSTRLPBF, транзистор N канал 100В 17А D2Pak

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 17

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 90

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 70

Крутизна характеристики S,мА/В: 12

Температура, С: -55...+175

Корпус: D2Pak-2

Запросить предложение
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]

IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: TO-220AB

Запросить предложение
IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF

IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 33

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 44

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 130

Крутизна характеристики S,мА/В: 21

Температура, С: -55...+175

Корпус: D2Pak-2

Запросить предложение
IRF5803D2PBF, транзистор Pкан+Шотт -40В -3.4А SO8

IRF5803D2PBF, транзистор Pкан+Шотт -40В -3.4А SO8

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 40

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 190

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2

Крутизна характеристики S,мА/В: 4

Температура, С: -55…+150

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение
IRF6216TRPBF, транзистор Pкан -150В -2.2А SO8

IRF6216TRPBF, транзистор Pкан -150В -2.2А SO8

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: -150

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.2

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 240

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5

Крутизна характеристики S,мА/В: 2.7

Температура, С: -55…+150

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение
IRF630NPBF, транзистор Nкан 200В 9.5А TO220AB

IRF630NPBF, транзистор Nкан 200В 9.5А TO220AB

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.мар

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 300

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 82

Крутизна характеристики S,мА/В: 4.9

Температура, С: -55...+175

Корпус: TO220AB

Запросить предложение
IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB

IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 150

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 150

Крутизна характеристики S,мА/В: 6.8

Температура, С: -55...+175

Корпус: TO220AB

Запросить предложение
IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ

IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Запросить предложение
IRF6811STRPBF, N канал транзистор 25В 74А DIRECTFET SQ

IRF6811STRPBF, N канал транзистор 25В 74А DIRECTFET SQ

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: N-канал

Запросить предложение
IRF7101PBF, транзистор 2N канал 20В 3.5А SO8

IRF7101PBF, транзистор 2N канал 20В 3.5А SO8

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: 2N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.май

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2

Крутизна характеристики S,мА/В: 1.1

Температура, С: -55…+150

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение
IRF7103TRPBF, транзистор 2N канал 50В 3А 130мОм 8-SO

IRF7103TRPBF, транзистор 2N канал 50В 3А 130мОм 8-SO

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: 2N-канал

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение
IRF7205TRPBF, P канал транзистор -305В -4.6А SO-8

IRF7205TRPBF, P канал транзистор -305В -4.6А SO-8

Производитель: Infineon
Все характеристики

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]

IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: 2N-канал

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение
IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8

IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8

Производитель: Infineon
Все характеристики

Структура: 2N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.фев

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2

Крутизна характеристики S,мА/В: 5.2

Температура, С: -55…+150

Корпус: SOIC-8

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я

A
ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX
B
Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago
C
CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS
D
Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City
E
EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology
F
Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech
G
G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice
H
Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann
I
Infineon
J
Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make
K
Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss
L
LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL
M
Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS
N
NationStar NCR NEX-NXP NXU
O
Omron On Semiconductor
P
Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati
R
REASUNOS RELPOL Rexant
S
Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic
T
TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI
U
UMW Uni-Ohm
V
VBSEMI Vishay
W
WCH Welwyn
X
XIANGYEE
Y
Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ
Z
Zeasset ZENITHSUN
А
Альфа
В
Вниисимс
Г
Гонконг
Д
Далекс Днепр
Е
Европа
З
Зубова Поляна
И
ИНТЕГРАЛ
К
КВАЗАР Кермет Китай Кремний
М
МЕЗОН Микро-М Микрон
Н
НЗПП
П
Протон
Р
Ресурс РЗМКП Россия
С
СЗТП СКЗ США
Т
Тайвань Транзистор
Ф
ФАП
Х
ХРЗ
Э
ЭЛЕКС Электроинтер
Я
Япония