Запросить предложение
Запросить предложение

Показано 129–144 из 214 результатов


Каталог


Фото

Маркировка / Производитель

IRLML2402, N-канальный силовой MOSFET, 20В, 1.2А, 540мВт [SOT-23]

IRLML2402, N-канальный силовой MOSFET, 20В, 1.2А, 540мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 0.7

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.54

Крутизна характеристики S,мА/В: 1.3

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML2402, транзистор N канал 20В 1.2А Micro3 SOT23

IRLML2402, транзистор N канал 20В 1.2А Micro3 SOT23

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 0.7

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.54

Крутизна характеристики S,мА/В: 1.3

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML2502, N-канальный MOSFET, 20В, 4.2А, 1.25Вт [SOT23] = IRLML2502TRPBF

IRLML2502, N-канальный MOSFET, 20В, 4.2А, 1.25Вт [SOT23] = IRLML2502TRPBF

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.фев

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 45

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.25

Крутизна характеристики S,мА/В: 5.8

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]

IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 30

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.54

Крутизна характеристики S,мА/В: 0.87

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML5103, P-канальный силовой MOSFET транзистор, -0.76А, 540Вт [SOT-23] = IRLML5103TRPBF

IRLML5103, P-канальный силовой MOSFET транзистор, -0.76А, 540Вт [SOT-23] = IRLML5103TRPBF

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 30

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -0.76

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 600

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.54

Крутизна характеристики S,мА/В: 0.44

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML5203, Р-канальный силовой MOSFET транзистор, -30B, -24A [SOT-23]

IRLML5203, Р-канальный силовой MOSFET транзистор, -30B, -24A [SOT-23]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
IRLML6244, N-канальный MOSFET транзистор, 20В, 6.3А, 1.3Вт (SOT-23)

IRLML6244, N-канальный MOSFET транзистор, 20В, 6.3А, 1.3Вт (SOT-23)

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
IRLML6302, P-канальный силовой MOSFET, -0.78А, 540мВт [SOT-23]

IRLML6302, P-канальный силовой MOSFET, -0.78А, 540мВт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: P-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
IRLML6344, N-канальный силовой MOSFET транзистор, 30В, 5А, 1.3Вт [SOT-23]

IRLML6344, N-канальный силовой MOSFET транзистор, 30В, 5А, 1.3Вт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: N-канал

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
IRLML6401, P-канальный MOSFET транзистор, -12В, -4.3А, 1.3Вт [SOT-23]

IRLML6401, P-канальный MOSFET транзистор, -12В, -4.3А, 1.3Вт [SOT-23]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 12

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -0.95

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3

Крутизна характеристики S,мА/В: 8.6

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML6402, Р-канальный силовой MOSFET, -20В, -3.7А, 1.3Вт [SOT-23] = IRLML6402TRPBF = SI2301BDS-T1-E

IRLML6402, Р-канальный силовой MOSFET, -20В, -3.7А, 1.3Вт [SOT-23] = IRLML6402TRPBF = SI2301BDS-T1-E

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.78

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 65

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3

Крутизна характеристики S,мА/В: 6

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
IRLML9301, Р-канальный MOSFET транзистор низкого напряжения, -30В, -3.6А, 1.3Вт (SOT-23)

IRLML9301, Р-канальный MOSFET транзистор низкого напряжения, -30В, -3.6А, 1.3Вт (SOT-23)

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Корпус: SOT-23

Запросить предложение
IRLML9303, P-канальный низковольтный MOSFET транзистор, -30В, -4А, 1.25Вт (SOT-23)

IRLML9303, P-канальный низковольтный MOSFET транзистор, -30В, -4А, 1.25Вт (SOT-23)

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 30

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.3

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 165

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.25

Крутизна характеристики S,мА/В: 2.3

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro3/SOT23

Запросить предложение
KBL08, стеклянный пассивированный выпрямительный диодный мост, 800В, 4А (KBL) = KBL408

KBL08, стеклянный пассивированный выпрямительный диодный мост, 800В, 4А (KBL) = KBL408

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Конфигурация: 1-фазный мост

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 800

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 4

Максимальное импульсное обратное напряжение,В: 960

Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А: 200

Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 1

при Iпр.,А: 3

Рабочая температура: -55...+125

Способ монтажа: в отверстие

Корпус: KBL

Запросить предложение
KBPC1510W, выпрямительный диоодный мост, 1000В, 15А [KBPC-W] = MB1510W

KBPC1510W, выпрямительный диоодный мост, 1000В, 15А [KBPC-W] = MB1510W

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Конфигурация: 1-фазный мост

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 1000

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 15

Способ монтажа: навесной

Корпус: KBPC

Запросить предложение
KBPC802, однофазный выпрямительный диодный мост, 200В, 8А [KBPC-8 (D-72, BR-8)]

KBPC802, однофазный выпрямительный диодный мост, 200В, 8А [KBPC-8 (D-72, BR-8)]

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Конфигурация: 1-фазный мост

Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 200

Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 8

Корпус: KBPC8

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я

A
ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX
B
Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago
C
CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS
D
Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City
E
EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology
F
Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech
G
G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice
H
Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann
I
Infineon
J
Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make
K
Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss
L
LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL
M
Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS
N
NationStar NCR NEX-NXP NXU
O
Omron On Semiconductor
P
Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati
R
REASUNOS RELPOL Rexant
S
Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic
T
TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI
U
UMW Uni-Ohm
V
VBSEMI Vishay
W
WCH Welwyn
X
XIANGYEE
Y
Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ
Z
Zeasset ZENITHSUN
А
Альфа
В
Вниисимс
Г
Гонконг
Д
Далекс Днепр
Е
Европа
З
Зубова Поляна
И
ИНТЕГРАЛ
К
КВАЗАР Кермет Китай Кремний
М
МЕЗОН Микро-М Микрон
Н
НЗПП
П
Протон
Р
Ресурс РЗМКП Россия
С
СЗТП СКЗ США
Т
Тайвань Транзистор
Ф
ФАП
Х
ХРЗ
Э
ЭЛЕКС Электроинтер
Я
Япония