MF200A12F2N — силовой полупроводниковый модуль. Предназначен для коммутации, выпрямления и управления мощными электрическими цепями в преобразовательной, промышленной и силовой электронной аппаратуре. Подтверждённые параметры/исполнение: 200 А, 1200 В. При подборе следует ориентироваться на точный артикул и документацию производителя.
Может заинтересовать
GD600HFY120C6S — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
M5010012, диодно-тиристорный модуль 100A/240V
Серия: M50
Количество диодов: 2
Количество тиристоров: 2