CM75E3U-12H — IGBT-модуль, 75А, 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
Структура модуля: одиночный транзистор
Защита от перегрева: нет
CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
Структура модуля: одиночный транзистор
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
PS11032 — IGBT-модуль, 220В
Макс.напр.к-э,В: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 4
GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Структура модуля: одиночный транзистор