CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25
Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль
Защита от перегрева: нет
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25
Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
CM75DY-34A — IGBT-модуль, 34А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
PS12015-A — IGBT-модуль, 400В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 5