DFI600HF12I4ME1 — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
Структура модуля: полумост
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
Структура модуля: полумост
Может заинтересовать
PM75CL1B120#350G — IGBT-модуль, 75А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
PS12034 — IGBT-модуль, 10А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 10