GD50FFX170C5SA — IGBT-модуль, 50А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD50FFX170C5SA, IGBT, 1700V/50A 6 in one-package, аналог для GD50FFT170C5S
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
M5010055, тиристорный модуль 100А/480VAC
Серия: M50
Количество тиристоров: 2
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200
