GD650HFX170P1S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 650
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 650
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
PM75RL1A120#300G — IGBT-модуль, 75А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
SKAI100WE, драйв чеппера1700В 1.5А
Функциональное назначение: драйвер IGBT