StarPower Semiconductor

GD900HFX120P1SA — IGBT-модуль, 900А, 1200В

Запросить предложение

Описание

GD900HFX120P1SA, IGBT модуль 1200В 900А, 5240 Вт

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули Yangjie (YJ)

MT275C16T3W, тиристорный модуль, 1600В, 275А (T3W) = SKKT273/16E Semikron

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

CM75DY-34A — IGBT-модуль, 34А, 1700В

Макс.напр.к-э,В: 1700

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

CM450DX-34T#310G — IGBT-модуль, 450А, 1700В

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Структура модуля: полумост

Запросить предложение