LG200HF060T1VH — IGBT-модуль, 2А
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 200
Структура модуля: полумост
Защита от перегрева: нет
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 780
LG200HF060T1VH, E2A IGBT модуль замена Semikron = SKM195GB066D
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 200
Структура модуля: полумост
Защита от перегрева: нет
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 780
Максимальный ток эмиттера, А: 200
Может заинтересовать
PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM