RA30H1317M1-501, = RA30H1317M1-201, 135-175МГц 30Вт 12.5В, ВЧ модуль
Может заинтересовать
PSS35SA2FT, транзистор DIPIPM Ver. 6, Large DIP 1200V
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 1200
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM
CM600DU-24NFH — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 5
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
