MJD44H11G, DPAK-3, Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт

MJD44H11G, DPAK-3, Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт

Производитель: On Semiconductor
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 8

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40

Hfe при токе коллектора, А: 4

Hfe при напряжении к-э, В: 1

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 85

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 20

Корпус: DPAK/TO-252AA

Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я