RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)

RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)

Производитель: REASUNOS
Все характеристики

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 1700

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 1000

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 69

Температура, С: -40.00…+150.00

Корпус: TO-247-3

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я