Транзисторы – это самые востребованные «кирпичики» для построения сложных современных микросхем. Конструктивно они представляют собой полупроводниковые триоды, которые обеспечивают управление током в электрической цепи посредством входных сигналов и используются для генерирования, преобразования и усиления электрических колебаний. Таким образом, транзисторы нашли широкое применение при создании генераторов сигналов, электронных ключей, усилительных схем, переключательных каскадов и пр. устройств.
Основными видами транзисторов являются биполярные и полевые.
Биполярные транзисторы (БП) используются носителями зарядов двух знаков (электроны и дырки). Это типичные представители радиоэлектронных компонентов для усиления сигналов, доминирующих в аналоговой технике (радио, связь, ТВ и пр.).
Одной из его разновидностей является IGBT транзистор (БП с изолированным затвором), который обычно используется в качестве мощного электронного ключа в инверторах, импульсных блоках питания, а также системах управления электроприводами. В связной аппаратуре широко используется такая разновидность, как мощный высокочастотный RF транзистор.
Полевые транзисторы (ПТ) используют в работе только носитель заряда одного знака (либо электроны, либо дырки). Они нашли широкое применение в цифровой технике при создании процессоров, систем памяти и логики, в цифровой связи и пр.
Одна из наиболее популярных разновидностей полевых транзисторов – управляемый не током, а напряжением MOSFET силовой транзистор, который отлично заменяет реле в ключевых схемах и также может использоваться для усиления низких частот.