BSM50GB120DLC — IGBT-модуль, 50А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Защита от перегрева: нет
BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
CM300DY-13T#300G — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
PM75CL1B120#350G — IGBT-модуль, 75А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
CM400HA-24A#300G — IGBT-модуль, 24А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400