CM300DY-13T#300G — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD-Type
Макс.напр.к-э,В: 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
EFE04G, тиристорный мост 75А/530V однофазный
Серия: EF
Количество тиристоров: 4
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200
DFI450HF17I4RE1P — IGBT-модуль, 450А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
CP30TD1-12A — IGBT-модуль, 12А, 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 30
Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль