DFI450HF17I4RE1P — IGBT-модуль, 450А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 450A полумост press-fit
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
Может заинтересовать
DFI600HF12I4ME1 — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
Структура модуля: полумост
