CM100MXA-24S — IGBT-модуль, 100А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100
Структура модуля: 3-ф.выпр-ль+3ф мост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
CM100MXA-24S, IGBT модуль CIB 100A 1200В NX6
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100
Структура модуля: 3-ф.выпр-ль+3ф мост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
M5010055, тиристорный модуль 100А/480VAC
Серия: M50
Количество тиристоров: 2
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200
MG150HF12TLC1 — IGBT-модуль, 150А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150