Yangjie (YJ)

MG150HF12TLC1 — IGBT-модуль, 150А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

MG150HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (C1) = GD150HFY120C1S

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули Yangjie (YJ)

MG450HF12TFC2 — IGBT-модуль, 450А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Структура модуля: полумост

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Yangjie (YJ)

MG300HF12TLC2 — IGBT-модуль, 300А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300

Структура модуля: полумост

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Yangjie (YJ)

MG100HF12LEC1 — IGBT-модуль, 100А

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Запросить предложение