Yangjie (YJ)

MG300HF12TLC2 — IGBT-модуль, 300А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Структура модуля: одиночный транзистор

Запросить предложение

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD150HFL120C8S — IGBT-модуль

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

PM75RL1A120#300G — IGBT-модуль, 75А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75

Запросить предложение