GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Структура модуля: одиночный транзистор
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Структура модуля: одиночный транзистор
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25
Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль
PM100CLS120 — IGBT-модуль, 100А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100
PS11032 — IGBT-модуль, 220В
Макс.напр.к-э,В: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 4