GD150HFL120C8S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Может заинтересовать
CM400ST-24S1 — IGBT-модуль, 400А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400
Структура модуля: мост
M5010055, тиристорный модуль 100А/480VAC
Серия: M50
Количество тиристоров: 2
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200