GD150HFL120C8S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Может заинтересовать
PM50RVA120 — IGBT-модуль, 50А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
