PM50RVA120 — IGBT-модуль, 50А, 1200В

Mitsubishi Electric

PM50RVA120 — IGBT-модуль, 50А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50

Структура модуля: 3-фазный мост+тормозной транзистор

Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM

Все характеристики Запросить предложение

PM50RVA120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 3 поколение В серия

Макс.напр.к-э,В: 1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50

Структура модуля: 3-фазный мост+тормозной транзистор

Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM

Максимальная частота переключения, кГц: 20

Мощность привода, кВт: 7.5

Драйвер управления: встроенный

Защита по току: есть

Защита от короткого замыкания: есть

Защита от перегрева: есть

Защита от пониженного напряжения питания: есть

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 338

Максимальный ток эмиттера, А: 100

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: 3300

Напряжение изоляции: 2500