Yangjie (YJ)

MG100HF12LEC1 — IGBT-модуль, 100А

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

PM25RL1A120#300G — IGBT-модуль, 25А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25

Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Yangjie (YJ)

MG450HF12TFC2 — IGBT-модуль, 450А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Структура модуля: полумост

Запросить предложение

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD100HFY120C1S — IGBT-модуль, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Запросить предложение