StarPower Semiconductor

GD100HFY120C1S — IGBT-модуль, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

GD100HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200 V, аналог для CM100DY-24T

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD50FFX170C5SA — IGBT-модуль, 50А, 1700В

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50

Структура модуля: полумост

Запросить предложение

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Структура модуля: одиночный транзистор

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Kingtronics

KBPC3506W, диодный мост 35А 600В

Запросить предложение