StarPower Semiconductor

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Структура модуля: одиночный транзистор

Тип силового модуля: Одиночный транзистор

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Структура модуля: одиночный транзистор

Тип силового модуля: Одиночный транзистор

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD150HFL120C8S — IGBT-модуль

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

PM75CL1B120#350G — IGBT-модуль, 75А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

CM450HA-5F — IGBT-модуль, 450А, 250В

Макс.напр.к-э,В: 250

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.2

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Запросить предложение