MG450HF12TFC2 — IGBT-модуль, 450А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
![MD165C16D2, Выпрямительный диодный модуль, 1600В, 165А [D2] = SKKD162/16; Semikron = М4-125-16](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/2011279467.jpg)
CM400ST-24S1 — IGBT-модуль, 400А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400
Структура модуля: мост