DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Структура модуля: 3-х фазный
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Структура модуля: 3-х фазный
Может заинтересовать
VS-403CNQ100PBF, сборка диодов Шоттки TO244AB
Количество диодов: 2
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 100
Максимальный постоянный выходной ток, А: 400
DFI600HF12I4ME1 — IGBT-модуль, 600А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600
Структура модуля: полумост
CM400HA-24A#300G — IGBT-модуль, 24А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400