StarPower Semiconductor

GD150HFY120C1S — IGBT-модуль

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

GD150HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, =SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-24T

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули Yangjie (YJ)

MT160C16T2, тиристорный модуль, 1600В, 110А (T2) = SKKT162/16 Semikron = MTC135-16-216F3B TECHSEM

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

CM450DX-34T#310G — IGBT-модуль, 450А, 1700В

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Структура модуля: полумост

Запросить предложение

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Структура модуля: одиночный транзистор

Запросить предложение