StarPower Semiconductor

GD300HFU120C2S — IGBT-модуль, 300А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300

Структура модуля: полумост

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

GD300HFU120C2S, NPT Ultra Fast IGBT, Half Bridge, 1200V/300A , замена для SKM300GB12T4-CASED56

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300

Структура модуля: полумост

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули Crydom

M5010055, тиристорный модуль 100А/480VAC

Серия: M50

Количество тиристоров: 2

Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200

Запросить предложение

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Структура модуля: одиночный транзистор

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

PM100CLS120 — IGBT-модуль, 100А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Запросить предложение