GD2400SGX170A4S — IGBT-модуль, 2400А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 2400
Структура модуля: одиночный транзистор
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD2400SGX170A4S, IGBT – Модуль, 1700V, 2400A, аналог для CM2400HCB-34N
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 2400
Структура модуля: одиночный транзистор
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
CM400DY-12NF — IGBT-модуль, 400А, 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400
LG200HF060T1VH — IGBT-модуль, 2А
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 200
Структура модуля: полумост
CM450DX-24S — IGBT-модуль, 450А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост