GD300HFX120C2S_B36, GD300HFX120C2S_B36, 1200V/300A 2 in one-package, аналог CM300DY-24A
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD300HFX120C2S_B36, GD300HFX120C2S_B36, 1200V/300A 2 in one-package, аналог CM300DY-24A
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
CM150DY-24T#300G — IGBT-модуль, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150
Структура модуля: полумост
DFI450HF17I4RE1P — IGBT-модуль, 450А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
PM450CLA120 — IGBT-модуль, 450А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450