GD300HFX170C6S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD300HFX170C6S, GD300HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss , аналог для позиции CM300DX-34T, CM300DX-3
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
PS12015-A — IGBT-модуль, 400В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 5
GD300HFU120C2S — IGBT-модуль, 300А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост