GD450HFY120C6S — IGBT-модуль, 450А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, анал
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
Структура модуля: полумост
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах
Может заинтересовать
CM200DY-24A модуль — IGBT-модуль, 24А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 200
CM450HA-5F — IGBT-модуль, 450А, 250В
Макс.напр.к-э,В: 250
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450
PM25RL1A120#300G — IGBT-модуль, 25А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM