PM50RL1A120#300G — IGBT-модуль, 50А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Может заинтересовать
EFE04G, тиристорный мост 75А/530V однофазный
Серия: EF
Количество тиристоров: 4
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200
EFE01E, диодно -тиристорный мост 75A/380V однофазный
Серия: EF
Количество диодов: 2
Количество тиристоров: 2
CM75E3U-12H — IGBT-модуль, 75А, 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
Структура модуля: одиночный транзистор