PM50RL1B120#350G — IGBT-модуль, 50А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM
Защита от перегрева: есть
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM
Защита от перегрева: есть
Может заинтересовать
EFE04G, тиристорный мост 75А/530V однофазный
Серия: EF
Количество тиристоров: 4
Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В: 1200
GD50FFX170C5SA — IGBT-модуль, 50А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 50
Структура модуля: полумост
CM400ST-24S1 — IGBT-модуль, 400А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400
Структура модуля: мост