PM75CVA120 — IGBT-модуль, 75А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
Структура модуля: 3-фазный мост
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM
PM75CVA120, IPM модуль 6 IGBT 1200В 75A 3 поколение В серия
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
Структура модуля: 3-фазный мост
Тип силового модуля: Интеллектуальный модуль IPM
Максимальная частота переключения, кГц: 20
Мощность привода, кВт: 15
Драйвер управления: встроенный
Защита по току: есть
Защита от короткого замыкания: есть
Защита от перегрева: есть
Защита от пониженного напряжения питания: есть
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 455
Максимальный ток эмиттера, А: 150
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: 3300
Напряжение изоляции: 2500
Может заинтересовать
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25
Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль