RA08H1317M-502, ВЧ модуль 135-175MHz 8W 12.5V, замена RA08H1317M-101, RA08H1317M-501
RA08H1317M-502, ВЧ модуль 135-175MHz 8W 12.5V, замена RA08H1317M-101, RA08H1317M-501
Может заинтересовать
CM900DUC-24S — IGBT-модуль, 900А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900
Структура модуля: полумост
PS11032 — IGBT-модуль, 220В
Макс.напр.к-э,В: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 4
CM400DY-12NF — IGBT-модуль, 400А, 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 400