Mitsubishi Electric

CM900DUC-24S — IGBT-модуль, 900А, 1200В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Защита от перегрева: нет

Все характеристики Запросить предложение

Описание Характеристики

CM900DUC-24S, IGBT модуль Ic (nom): 900 А; Vce (max): 1200 В

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Защита от перегрева: нет

Может заинтересовать

Полупроводниковые модули StarPower Semiconductor

GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Структура модуля: одиночный транзистор

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

CM800DU-12H — IGBT-модуль, 800А, 600В

Макс.напр.к-э,В: 600

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение

Полупроводниковые модули Mitsubishi Electric

CM450DX-34T#310G — IGBT-модуль, 450А, 1700В

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Структура модуля: полумост

Запросить предложение