CM800DU-12H — IGBT-модуль, 800А, 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Защита от перегрева: нет
CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В
Макс.напр.к-э,В: 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800
Защита от перегрева: нет
Может заинтересовать
GD300HFU120C2S — IGBT-модуль, 300А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300
Структура модуля: полумост
PM75CL1B120#350G — IGBT-модуль, 75А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75
GD150HFY120C1S — IGBT-модуль
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150