IRGB4062DPBF, IGBT транзистор 600 В 24 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 24
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт: 250
IRGB4062DPBF, IGBT транзистор 600В 24А TO220AB
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 24
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт: 250
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
BCV49.115, Транзисторы и сборки биполярные
Структура: NPN Дарлингтон
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
IRLML0060TRPBF, полевой транзистор 60 В 2.7 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.июл
MMBTA06LT1G, биполярный транзистор 80 В 0.5 А
Структура: NPN
Корпус: SOT-23-3