Транзисторы

IGBT транзисторы 21 СВЧ транзисторы 8 составные транзисторы Дарлингтона 15 транзисторы биполярные импортные 175 транзисторы биполярные отечественные 118 транзисторы полевые импортные 422 транзисторы полевые отечественные 20

Транзисторы UMW

10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST)

Корпус: TO-220F

Запросить предложение

Транзисторы UMW

15N10, [TO-252]; 100V 15A 50W 80mR@10V,10A 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=FQD13N10L(ON);=TK15S10

Корпус: TO-252

Запросить предложение

Транзисторы Россия

198НТ7А, сборка транзисторов Дарлингтона

Кол-во, транзисторов: 4

Полярность: NPN

Запросить предложение

Транзисторы

198НТ7А, сборка транзисторов Дарлингтона

Кол-во, транзисторов: 4

Полярность: NPN

Запросить предложение

Транзисторы

1Т403И, биполярный транзистор

Структура: PNP

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60

Запросить предложение

Транзисторы

1Т403И, биполярный транзистор

Структура: PNP

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60

Запросить предложение

Транзисторы Motorola

2N3439, биполярный транзистор 350 В 1 А

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 450

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 350

Запросить предложение

Транзисторы ON Semiconductor

2N4401BU, биполярный транзистор 40 В 0.6 А

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40

Запросить предложение

Транзисторы Китай

2N5401, транзистор биполярный SOT23

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение

Транзисторы LGE

2N5401YBU, биполярный транзистор 150 В 0.6 А

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 150

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6

Запросить предложение

Транзисторы Diotec Semiconductor

2N5551, транзистор биполярный TO92

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 160

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 160

Запросить предложение