1Т403И, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1.25
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
1Т403И,, ОС (88-89г.) транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1.25
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 8
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Может заинтересовать
КП303Е, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 8
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
![BC846B, NPN транзистор, 80В, 0.1А, 0.2Вт [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-71.jpg)
BC846B, NPN транзистор, 80В, 0.1А, 0.2Вт [SOT-23]
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65
CSD19531KCS, полевой транзистор 100 В 100 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-220