Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты
Запросить предложение
  • Контакты

  • г. Нижний Новгород,

    ул. Невская, д. 19А, оф. 109

  • +7 (831) 212-83-33

  • Пн - Пт: с 09:00 до 17:30 (Мск)

  • info@ntp-int.ru

  • г. Нижний Новгород,

    ул. Невская, д. 19А, оф. 109

  • +7 (831) 212-83-33

  • Пн - Пт: с 09:00 до 17:30 (Мск)

  • info@ntp-int.ru

Запросить предложение
Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты

Производитель
Структура
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)
Диапазон рабочих температур, гр.С

Showing 1–16 of 175 results


транзисторы биполярные импортные


Фото

Маркировка / Производитель

2N3439, NPN транзистор 350В 1А TO39

2N3439, NPN транзистор 350В 1А TO39

Производитель: Motorola
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 450

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 350

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 15

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1

Корпус: TO-39

Запросить предложение
2N4401BU, NPN транзистор 40В 0,6А TO92

2N4401BU, NPN транзистор 40В 0,6А TO92

Производитель: On Semiconductor
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 250

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.625

Корпус: TO-92

Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150

Запросить предложение
2N5401, транзистор биполярный SOT23

2N5401, транзистор биполярный SOT23

Производитель: Китай
Все характеристики

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение
2N5401YBU, pnp транзистор 150В 0,6А 0,6Вт TO92 (=2N5401)

2N5401YBU, pnp транзистор 150В 0,6А 0,6Вт TO92 (=2N5401)

Производитель: LGE
Все характеристики

Структура: PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 150

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.6

Корпус: TO-92

Запросить предложение
2N5551, транзистор биполярный TO92

2N5551, транзистор биполярный TO92

Производитель: Diotec Semicond.
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 160

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 160

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.625

Корпус: TO-92

Запросить предложение
2SA1020 Y, TO-92MOD/formed

2SA1020 Y, TO-92MOD/formed

Производитель: Toshiba
Все характеристики

Корпус: TO-92

Запросить предложение
2SA1837+2SC4793, транзисторная пара TO220

2SA1837+2SC4793, транзисторная пара TO220

Производитель: Toshiba
Запросить предложение
2SC1815, Биполярный транзистор NPN, 50В, 0.15А TO-92

2SC1815, Биполярный транзистор NPN, 50В, 0.15А TO-92

Производитель: DC Components
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 70

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 80

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.4

Корпус: TO-92

Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150

Запросить предложение
2SC2712-Y, биполярный транзистор NPN, 50В 0.15А, 0.15Вт SOT23-3

2SC2712-Y, биполярный транзистор NPN, 50В 0.15А, 0.15Вт SOT23-3

Производитель: Toshiba
Все характеристики

Структура: NPN

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение
2SC2712, двунаправленный NPN транзистор, 60В, 150мА, 150мВт [SOT-23] = TOSH 2SC2712-GR

2SC2712, двунаправленный NPN транзистор, 60В, 150мА, 150мВт [SOT-23] = TOSH 2SC2712-GR

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15

Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 70

Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 80

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.15

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение
50N06, [T0-252]; MOSFETs ROHS;=FQD50N06(ON);=TK50S06(TOSHIBA);=SUD50N06-09L(Vishay); =IPD50N06(INFIN

50N06, [T0-252]; MOSFETs ROHS;=FQD50N06(ON);=TK50S06(TOSHIBA);=SUD50N06-09L(Vishay); =IPD50N06(INFIN

Производитель: UMW
Запросить предложение
A42, двунаправленный NPN транзистор, 300В, 500мА, 500мВт (SOT-89)

A42, двунаправленный NPN транзистор, 300В, 500мА, 500мВт (SOT-89)

Производитель: HOTTECH
Все характеристики

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5

Корпус: SOT-89

Запросить предложение
AO3407A, [SOT-23]; 30V 4.1A 52mR@10V,4.1A 1.4W 3V@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =AO3407A(AOS)

AO3407A, [SOT-23]; 30V 4.1A 52mR@10V,4.1A 1.4W 3V@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =AO3407A(AOS)

Производитель: UMW
Все характеристики

Корпус: SOT-23-3

Запросить предложение
AO4407A, [SOP-8]; MOSFETs ROHS;=FDS4407(ON);=AO4407(AOS);=SI4407(Vishay);

AO4407A, [SOP-8]; MOSFETs ROHS;=FDS4407(ON);=AO4407(AOS);=SI4407(Vishay);

Производитель: UMW
Запросить предложение
AO4435, [SOP-8]; MOSFETs ROHS;=FDS4435(ON);=AO4435(AOS);=SI4435(Vishay); =IRF9393(INFIN)

AO4435, [SOP-8]; MOSFETs ROHS;=FDS4435(ON);=AO4435(AOS);=SI4435(Vishay); =IRF9393(INFIN)

Производитель: UMW
Запросить предложение
BC337-040G, NPN транзистор 50В 800мА TO-92-3

BC337-040G, NPN транзистор 50В 800мА TO-92-3

Производитель: On Semiconductor
Все характеристики

Структура: NPN

Корпус: TO-92

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я

A
ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX
B
Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago
C
CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS
D
Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City
E
EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology
F
Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech
G
G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice
H
Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann
I
Infineon
J
Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make
K
Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss
L
LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL
M
Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS
N
NationStar NCR NEX-NXP NXU
O
Omron On Semiconductor
P
Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati
R
REASUNOS RELPOL Rexant
S
Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic
T
TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI
U
UMW Uni-Ohm
V
VBSEMI Vishay
W
WCH
X
XIANGYEE
Y
Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ
Z
Zeasset ZENITHSUN
А
Альфа
В
Вниисимс
Г
Гонконг
Д
Далекс Днепр
Е
Европа
З
Зубова Поляна
И
ИНТЕГРАЛ
К
КВАЗАР Кермет Китай Кремний
М
МЕЗОН Микро-М Микрон
Н
НЗПП
П
Протон
Р
Ресурс РЗМКП Россия
С
СЗТП СКЗ США
Т
Тайвань Транзистор
Ф
ФАП
Х
ХРЗ
Э
ЭЛЕКС Электроинтер
Я
Япония