![50N06, [T0-252]; MOSFETs ROHS;=FQD50N06(ON);=TK50S06(TOSHIBA);=SUD50N06-09L(Vishay); =IPD50N06(INFIN](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/65-13.jpg)
50N06, [T0-252]; MOSFETs ROHS;=FQD50N06(ON);=TK50S06(TOSHIBA);=SUD50N06-09L(Vishay); =IPD50N06(INFIN
50N06 — полевой MOSFET-транзистор. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в импульсных и силовых схемах. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Может заинтересовать
TIP122, биполярный транзистор 100 В 5 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
SIHG20N50C-E3, полевой транзистор 560 В 20 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 560
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
IRFBC30A, транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн