SIHG20N50C-E3, полевой транзистор 560 В 20 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 560
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 270
SIHG20N50C-E3, транзистор N канал 560В 20А TO247AC (IRFP450/IRFP460(A/LC)
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 560
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 270
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 250
Крутизна характеристики S,мА/В: 6.4
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO-247AC
